課程大綱：
一、 SDRAM 基本結(jié)構(gòu)（1h）
1. 名詞解釋；
2. SDRAM的物理BANK；
3. 芯片位寬；
二、 SDRAM邏輯BANK（1h）
1. 邏輯BANK與芯片位寬；
2. 內(nèi)存芯片容量
3. 芯片位寬相關(guān)設(shè)計(jì)技術(shù)；
三、 SDRAM的引腳與封裝（1h）
1. SDRAM信號(hào)（引腳）標(biāo)準(zhǔn)；
2. 54pin TSOP引腳設(shè)計(jì)；
3. 引腳代號(hào)及定義；
4. SDRAM不同型號(hào)封裝標(biāo)準(zhǔn)；
四、 SDRAM芯片初始化（1h）
1. SDRAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)；
2. SDRAM初始化進(jìn)程；
3. SDRAM初始化參數(shù)設(shè)置；
五、 SDRAM工作原理（3h）
1. 行有效；
2. 列讀寫；
3. 讀數(shù)據(jù)；
4. 寫數(shù)據(jù)；
5. 突發(fā)長(zhǎng)度；
六、 SDRAM的預(yù)充電與刷新操作（1h）
1. 預(yù)充電；
2. 刷新；
3. 數(shù)據(jù)掩碼；
4. SDRAM工作流程圖解
七、 SDRAM結(jié)構(gòu)、時(shí)序與性能關(guān)系（1h）
1. 影響性能的主要時(shí)序參數(shù)
2. 增加PHR方法；
3. 內(nèi)存結(jié)構(gòu)對(duì)PHR影響；
4. 讀/寫延遲差異對(duì)性能影響；
5. BL對(duì)性能影響；
八、 DDR SDRAM技術(shù) （2h）
1. DDR含義；
2. DDR基本原理；
3. DDR SDRAM技術(shù)特點(diǎn)；
4. 差分CLOCK；
5. DQS；
6. 寫延遲；
7. 突發(fā)長(zhǎng)度與寫入掩碼；
8. DLL技術(shù)；
九、 DDR II 技術(shù) （3h）
1. DDRII 技術(shù)特點(diǎn)；
2. DDRII 結(jié)構(gòu)；
3. OCD技術(shù)；
4. ODT技術(shù)；
5. PCAS；
6. 附加潛伏期；
7. 寫入潛伏期；
8. DDRII封裝技術(shù)；
十、 DDRIII技術(shù)（2h）
1. DDRIII技術(shù)特點(diǎn)；
2. BL；
3. Timing；
4. Reset 功能；
5. ZQ校準(zhǔn)；
6. P2P技術(shù)；
